Объем одного модуля (ГБ):8
manufacturerCountry:КИТАЙ
Модель:CD3-SS08G16M11-01
название:CBR DDR3 SODIMM 8GB CD3-SS08G16M11-01 PC3-12800, 1600MHz, CL11
Напряжение (В):1.35
RAS to CAS Delay (tRCD):11
Тайминги:11-11-11-28
Тип оборудования:Оперативная память
gtdNumber:10005030/220523/3133300/8
Чип:-