Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Описание
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
gtdNumber
10005030/121022/3276015
Тайминги
22
Тип оборудования
Оперативная память
Поддержка Reg
Есть
Чип
-
Частота (MHz)
DDR3 - 3200
Общий объем памяти (ГБ)
64
Activate to Precharge Delay (tRAS)
-
Нормальная операционная температура (Tcase)
75 °C
масса(кг)
0.09
Количество чипов на модуле
-
Габариты (мм)
-
rusName
[Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Расширенная операционная температура (Tcase)
85 °C
сайт производителя
http://www.samsung.com/
Потребление энергии
-
Линейка
Нет
Пропускная способность (МБ/с)
25600
Производитель
Samsung
Вес (грамм)
-
Количество модулей в комплекте (шт)
1
гарантия
1 год
ширина(см)
3
Высота (мм)
-
Поддержка ECC
Есть
Поддержка водяного охлаждения
Нет
CAS Latency (CL)
22
Тип модуля
DIMM
Радиатор
Нет
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288
Подсветка
Нет
Производитель
Samsung
длина(см)
13
Row Precharge Delay (tRP)
-
Дополнительная информация
-
описание
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Модель
M386A8K40DM2-CWE
Объем одного модуля (ГБ)
64
manufacturerCountry
КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
название
Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Напряжение (В)
1.2
высота(см)
0.2
RAS to CAS Delay (tRCD)
-
GTIN
00000000000000
2014-2025 © Радиостафф - комплексные поставки радиочастотных комплектующих