Row Precharge Delay (tRP):11
Дополнительная информация:нет
описание:Память QUM3U-4G1600K11L от производителя QUMO
Модель:QUM3U-4G1600K11L
Объем одного модуля (ГБ):4
manufacturerCountry:КИТАЙ
название:QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600K11L 1.35V
Напряжение (В):1.35
RAS to CAS Delay (tRCD):11
GTIN:06909723201883