Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
сайт производителя:http://www.samsung.com/
Потребление энергии:-
Линейка:-
Пропускная способность (МБ/с):44800
Производитель:Samsung
Вес (грамм):-
Количество модулей в комплекте (шт):1
гарантия:3 года
Высота (мм):-
Поддержка ECC:Нет
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
867327778fb894b2198df083ac8590cf
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
сайт производителя
Потребление энергии
Линейка
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
гарантия
Высота (мм)
Поддержка ECC
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Радиатор
Низкопрофильная
Производитель
Количество контактов
Подсветка
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
manufacturerCountry
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
gtdNumber
Тайминги
Тип оборудования
Поддержка Reg
Чип
Частота (MHz)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)